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16层以上高堆叠产品的混合键合凉K海需求并不紧迫，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，力士将电绝缘、急刹有助于减小HBM厚度并改善散热。用不也悬但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是混合键合凉K海发展方向。厚度标准松动后，力士

SK海力士则推出iHBM技术，急刹

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的用不也悬问题。

业内判断，混合键合凉K海行业分析师指出，力士以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的急刹挑战。据报道，用不也悬两家公司正重新评估采用混合键合的混合键合凉K海时机，

而HBM3E标准厚度为720微米，力士可从堆叠内部带走热量。急刹

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，

散热问题也有了更简单的替代方案。JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，称可较现有产品降低超过30%热阻。HBM4已放宽至775微米。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。无需使用凸点，在封装内部加入独立热柱，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。即使到HBM5也可能暂不采用。然而，三星开发了HPB热通道模块，

7月6日消息，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。不过混合键合的研发并未停滞。短期内混合键合不会大规模部署，即使到HBM4E阶段，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。12层产品仍极有可能被用作主流产品。

(责任编辑：产品)