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9月23日消息，存储据分析机构Kurnal Insights的比算飙升最新调研显示，受全球AI产业对存储容量的力贵极度渴求，DRAM内存芯片的单位电单位面积价值已创下历史新高。

数据表明，面积目前尖端内存芯片每平方毫米的价值m晶潜在价值，已经超过了台积电最先进的反超N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。

具体来看，台积Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的存储300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合约0.283美元/mm²，比算飙升N2工艺的力贵晶圆价格明显更高，约为3万美元（约21.3万元人民币），单位电折合约0.424美元/mm²。面积

需要说明的价值m晶是，这些数字基于非官方信息，反超且未计入不可用的晶圆边缘、切割损耗、测试结构、缺陷与良率等因素，只能视作名义上的晶圆面积单价，而非可用硅片的实际成本。

而DRAM的算法则完全不同，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，对应价值0.329美元/mm²。

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，对应0.410美元/mm²。而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，对应价值高达0.654美元/mm²，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。

值得一提的是，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。据DRAMeXchange数据，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，折合1.55美元/Gb。

按此价格计算，密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，仅比Kurnal的估算高出3%，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

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